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STGD4M65DF2

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产品型号
STGD4M65DF2
制造商
STMicroelectronics
描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STGD4M65DF2.pdf
总计:$0.42330
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产品型号
STGD4M65DF2
制造商
STMicroelectronics
描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
8A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
16A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.1V @ 15V, 4A
功率 - 最大
68W
开关能量
40µJ (on), 136µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
15.2nC
TD(开/关)@ 25℃
12ns/86ns
测试条件
400V, 4A, 47 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
133ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装
DPAK

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