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TK39J60W5,S1VQ

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产品型号
TK39J60W5,S1VQ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$11.05000
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产品型号
TK39J60W5,S1VQ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
38.8A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
65 mOhm @ 19.4A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.7V @ 1.9mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
135nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
4100pF @ 300V
FET特点
Super Junction
功率耗散(最大)
270W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-3P(N)
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3

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