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RJM0603JSC-00#12

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产品型号
RJM0603JSC-00#12
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
RJM0603JSC-00#12
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
零件状态
Active
FET型
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET特点
Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
20A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
20 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
43nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2600pF @ 10V
功率 - 最大
54W
工作温度
175°C
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
供应商设备封装
20-HSOP

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