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VT6J1T2CR

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产品型号
VT6J1T2CR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
VT6J1T2CR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
零件状态
Active
FET型
2 P-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
15pF @ 10V
功率 - 最大
120mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-SMD, Flat Leads
供应商设备封装
VMT6

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