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FD-DF80R12W1H3_B52

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产品型号
FD-DF80R12W1H3_B52
制造商
Infineon Technologies
描述
IGBT MODULE VCES 1200V 40A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FD-DF80R12W1H3_B52.pdf
总计:$37.79292
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产品型号
FD-DF80R12W1H3_B52
制造商
Infineon Technologies
描述
IGBT MODULE VCES 1200V 40A
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
组态
Single
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
40A
功率 - 最大
215W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.4V @ 15V, 40A
电流 - 集电极截止(最大)
1mA
输入电容(连锁商店)@的Vce
235nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻器
Yes
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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