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TPN14006NH,L1Q

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产品型号
TPN14006NH,L1Q
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.32200
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产品型号
TPN14006NH,L1Q
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
13A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
14 mOhm @ 6.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 200µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
15nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1300pF @ 30V
FET特点
-
功率耗散(最大)
700mW (Ta), 30W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-TSON Advance (3.3x3.3)
封装/箱体
8-PowerVDFN

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