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RN1112ACT(TPL3)

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产品型号
RN1112ACT(TPL3)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
RN1112ACT(TPL3)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
零件状态
Active
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极(Ic)(最大)
80mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻 - 基(R 1)
22 kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)
-
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC
150mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大)
100nA (ICBO)
频率 - 转换
-
功率 - 最大
100mW
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SC-101, SOT-883
供应商设备封装
CST3

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