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IPT65R105G7XTMA1

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产品型号
IPT65R105G7XTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
HIGH POWERNEW
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPT65R105G7XTMA1.pdf
总计:$3.22548
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产品型号
IPT65R105G7XTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
HIGH POWERNEW
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
24A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
105 mOhm @ 8.9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 440µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
35nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1670pF @ 400V
FET特点
-
功率耗散(最大)
156W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-HSOF-8-2
封装/箱体
8-PowerSFN

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