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DMTH8012LPS-13

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产品型号
DMTH8012LPS-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMTH8012LPS-13.pdf
总计:$0.43120
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产品型号
DMTH8012LPS-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
10A (Ta), 72A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
17 mOhm @ 12A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
34nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1949pF @ 40V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.6W (Ta), 136W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PowerDI5060-8
封装/箱体
8-PowerTDFN

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