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SI7119DN-T1-GE3

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产品型号
SI7119DN-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI7119DN-T1-GE3.pdf
总计:$0.47560
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产品型号
SI7119DN-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.8A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.05 Ohm @ 1A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
25nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
666pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
工作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PowerPAK® 1212-8
封装/箱体
PowerPAK® 1212-8

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