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GA10SICP12-263

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产品型号
GA10SICP12-263
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
GA10SICP12-263.pdf
总计:$27.91740
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产品型号
GA10SICP12-263
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
零件状态
Active
FET型
-
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
25A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
-
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
100 mOhm @ 10A
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
VGS(最大)
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1403pF @ 800V
FET特点
-
功率耗散(最大)
170W (Tc)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
D2PAK (7-Lead)
封装/箱体
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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