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SSM6N42FE(TE85L,F)

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产品型号
SSM6N42FE(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
SSM6N42FE(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
800mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
240 mOhm @ 500mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
2nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
90pF @ 10V
功率 - 最大
150mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-563, SOT-666
供应商设备封装
ES6 (1.6x1.6)

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