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CTLDM8002A-M621 TR

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产品型号
CTLDM8002A-M621 TR
制造商
Central Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 50V DFN6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
CTLDM8002A-M621 TR.pdf
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产品型号
CTLDM8002A-M621 TR
制造商
Central Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 50V DFN6
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
280mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
2.5 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.72nC @ 4.5V
VGS(最大)
20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
70pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
900mW (Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TLM621
封装/箱体
6-PowerVFDFN

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