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SIA533EDJ-T1-GE3

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产品型号
SIA533EDJ-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SIA533EDJ-T1-GE3.pdf
总计:$0.24368
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产品型号
SIA533EDJ-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.5A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
15nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
420pF @ 6V
功率 - 最大
7.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SC-70-6 Dual
供应商设备封装
PowerPAK® SC-70-6 Dual

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