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NP100P06PDG-E1-AY

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产品型号
NP100P06PDG-E1-AY
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
NP100P06PDG-E1-AY.pdf
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产品型号
NP100P06PDG-E1-AY
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
6 mOhm @ 50A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
300nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
15000pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-263
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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