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SUD50P04-23-GE3

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产品型号
SUD50P04-23-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SUD50P04-23-GE3.pdf
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产品型号
SUD50P04-23-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
8.2A (Ta), 20A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
23 mOhm @ 15A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
65nC @ 10V
VGS(最大)
±16V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1880pF @ 20V
FET特点
-
功率耗散(最大)
3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-252, (D-Pak)
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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