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STH315N10F7-6

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产品型号
STH315N10F7-6
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STH315N10F7-6.pdf
总计:$3.56034
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产品型号
STH315N10F7-6
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
180A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
2.3 mOhm @ 60A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
180nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
12800pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
315W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
H2PAK-6
封装/箱体
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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