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SSM3J356R,LF

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产品型号
SSM3J356R,LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.08642
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产品型号
SSM3J356R,LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
2A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
300 mOhm @ 1A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
8.3nC @ 10V
VGS(最大)
+10V, -20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
330pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1W (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SOT-23F
封装/箱体
SOT-23-3 Flat Leads

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