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DMC1229UFDB-13

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产品型号
DMC1229UFDB-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMC1229UFDB-13.pdf
总计:$0.17490
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产品型号
DMC1229UFDB-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5.6A, 3.8A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
29 mOhm @ 5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
19.6nC @ 8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
914pF @ 6V
功率 - 最大
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-UDFN Exposed Pad
供应商设备封装
U-DFN2020-6 (Type B)

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