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RN1131MFV(TL3,T)

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产品型号
RN1131MFV(TL3,T)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
RN1131MFV(TL3,T)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
零件状态
Active
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极(Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻 - 基(R 1)
100 kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)
-
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC
300mV @ 500µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大)
100nA (ICBO)
频率 - 转换
-
功率 - 最大
150mW
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-723
供应商设备封装
VESM

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