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MCR08BT1,115

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产品型号
MCR08BT1,115
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
描述
THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
MCR08BT1,115
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
描述
THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
零件状态
Active
电压 - 断路
200V
电压 - 栅极触发(VGT)(最大)
800mV
电流 - 栅极触发(IGT)(最大值)
200µA
电压 - 导通状态(VTM)(最大)
1.7V
电流 - 导通状态(这(AV))(最大值)
500mA
电流 - 导通状态(这(RMS))(最大值)
800mA
电流 - 维持(Ih)(最大值)
5mA
电流 - 断态(最大值)
100µA
电流 - 非众议员浪涌50,60赫兹(ITSM)
8A, 9A
SCR类型
Sensitive Gate
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-261-4, TO-261AA
供应商设备封装
SC-73

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