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SI7252DP-T1-GE3

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产品型号
SI7252DP-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI7252DP-T1-GE3.pdf
总计:$1.10950
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产品型号
SI7252DP-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
36.7A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
18 mOhm @ 15A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
27nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1170pF @ 50V
功率 - 最大
46W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备封装
PowerPAK® SO-8 Dual

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