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IDB18E120ATMA1

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产品型号
IDB18E120ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IDB18E120ATMA1.pdf
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产品型号
IDB18E120ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
零件状态
Obsolete
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
1200V
电流 - 平均整流(Io)
31A (DC)
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
2.15V @ 18A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
195ns
电流 - Vr时反向漏电
100µA @ 1200V
电容@ Vr,F时
-
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
PG-TO263-3
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

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