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ES6U2T2R

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产品型号
ES6U2T2R
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
ES6U2T2R
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
零件状态
Not For New Designs
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.5A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
1.8nC @ 4.5V
VGS(最大)
±10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
110pF @ 10V
FET特点
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大)
700mW (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
6-WEMT
封装/箱体
SOT-563, SOT-666

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