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IPL60R299CPAUMA1

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产品型号
IPL60R299CPAUMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPL60R299CPAUMA1.pdf
总计:$1.44000
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$1.44000

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产品型号
IPL60R299CPAUMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
零件状态
Not For New Designs
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
11.1A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
299 mOhm @ 6.6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 440µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
22nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1100pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
96W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-VSON-4
封装/箱体
4-PowerTSFN

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