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BSZ0910NDXTMA1

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产品型号
BSZ0910NDXTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
DIFFERENTIATED MOSFETS
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BSZ0910NDXTMA1.pdf
总计:$0.54409
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(以美元)
1pcs
$0.54409

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产品型号
BSZ0910NDXTMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
DIFFERENTIATED MOSFETS
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
9.5A (Ta), 25A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
9.5 mOhm @ 9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
5.6nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
800pF @ 15V
功率 - 最大
1.9W (Ta), 31W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商设备封装
PG-WISON-8

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