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SI7909DN-T1-GE3

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产品型号
SI7909DN-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI7909DN-T1-GE3.pdf
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产品型号
SI7909DN-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
零件状态
Obsolete
FET型
2 P-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5.3A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 700µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
24nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
功率 - 最大
1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® 1212-8 Dual
供应商设备封装
PowerPAK® 1212-8 Dual

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