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ZXMHC6A07T8TA

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产品型号
ZXMHC6A07T8TA
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
ZXMHC6A07T8TA.pdf
总计:$0.87725
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$0.87725

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产品型号
ZXMHC6A07T8TA
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
零件状态
Active
FET型
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.6A, 1.3A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
300 mOhm @ 1.8A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
3.2nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
166pF @ 40V
功率 - 最大
1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-223-8
供应商设备封装
SM8

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