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JAN1N5811US

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产品型号
JAN1N5811US
制造商
Microsemi
描述
DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$9.94840
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产品型号
JAN1N5811US
制造商
Microsemi
描述
DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
150V
电流 - 平均整流(Io)
6A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
875mV @ 4A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
30ns
电流 - Vr时反向漏电
5µA @ 150V
电容@ Vr,F时
60pF @ 10V, 1MHz
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SQ-MELF, B
供应商设备封装
B, SQ-MELF
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C

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