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HN4K03JUTE85LF

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产品型号
HN4K03JUTE85LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
HN4K03JUTE85LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
12 Ohm @ 10mA, 2.5V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
VGS(最大)
10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
8.5pF @ 3V
FET特点
-
功率耗散(最大)
200mW (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
USV
封装/箱体
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

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