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SSM6L09FUTE85LF

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产品型号
SSM6L09FUTE85LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.10260
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产品型号
SSM6L09FUTE85LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
400mA, 200mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
700 mOhm @ 200MA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
1.8V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
20pF @ 5V
功率 - 最大
300mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
US6

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