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APTC90H12T1G

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产品型号
APTC90H12T1G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
APTC90H12T1G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
零件状态
Obsolete
FET型
4 N-Channel (H-Bridge)
FET特点
Super Junction
漏极至源极电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
30A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
120 mOhm @ 26A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 3mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
270nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
6800pF @ 100V
功率 - 最大
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP1
供应商设备封装
SP1

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