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2SK3313(Q)

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产品型号
2SK3313(Q)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
2SK3313(Q).pdf
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产品型号
2SK3313(Q)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
12A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
620 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
45nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2040pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
40W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220NIS
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack

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