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STGWT80H65DFB

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产品型号
STGWT80H65DFB
制造商
STMicroelectronics
描述
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STGWT80H65DFB.pdf
总计:$7.50000
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产品型号
STGWT80H65DFB
制造商
STMicroelectronics
描述
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
120A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
240A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2V @ 15V, 80A
功率 - 最大
469W
开关能量
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
414nC
TD(开/关)@ 25℃
84ns/280ns
测试条件
400V, 80A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
85ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备封装
TO-3P

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