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FDR8305N

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产品型号
FDR8305N
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDR8305N.pdf
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产品型号
FDR8305N
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.5A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
22 mOhm @ 4.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
23nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1600pF @ 10V
功率 - 最大
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
供应商设备封装
SuperSOT™-8

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