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TC58BYG1S3HBAI6

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产品型号
TC58BYG1S3HBAI6
制造商
Toshiba Memory America, Inc.
描述
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$3.95000
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$3.95000

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产品型号
TC58BYG1S3HBAI6
制造商
Toshiba Memory America, Inc.
描述
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
零件状态
Active
内存类型
Non-Volatile
存储格式
FLASH
技术
FLASH - NAND (SLC)
内存大小
2Gb (256M x 8)
时钟频率
-
写周期时间 - 字,页面
25ns
访问时间
25ns
内存接口
Parallel
电压 - 电源
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
67-VFBGA
供应商设备封装
67-VFBGA (6.5x8)

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