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NSTB60BDW1T1

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产品型号
NSTB60BDW1T1
制造商
ON Semiconductor
描述
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
NSTB60BDW1T1
制造商
ON Semiconductor
描述
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
零件状态
Obsolete
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大)
150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻 - 基(R 1)
22 kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)
47 kOhms
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce
80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce饱和(最大)@ IB,IC
250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大)
500nA
频率 - 转换
140MHz
功率 - 最大
250mW
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
SC-88/SC70-6/SOT-363

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