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SI8821EDB-T2-E1

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产品型号
SI8821EDB-T2-E1
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI8821EDB-T2-E1.pdf
总计:$0.14339
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产品型号
SI8821EDB-T2-E1
制造商
Vishay
描述
MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
-
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
135 mOhm @ 1A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
17nC @ 10V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
440pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
500mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
4-Microfoot
封装/箱体
4-XFBGA, CSPBGA

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