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DMP21D5UFD-7

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产品型号
DMP21D5UFD-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET P-CH 20V DFN1212-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMP21D5UFD-7.pdf
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产品型号
DMP21D5UFD-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET P-CH 20V DFN1212-3
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
600mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.2V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1 Ohm @ 100mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
800nC @ 8V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
46.1pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
400mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
X1-DFN1212-3
封装/箱体
3-UDFN

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