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GSID200A120S3B1

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产品型号
GSID200A120S3B1
制造商
Global Power Technologies Group, Inc.
描述
SILICON IGBT MODULES
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
GSID200A120S3B1.pdf
总计:$93.42500
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$93.42500

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产品型号
GSID200A120S3B1
制造商
Global Power Technologies Group, Inc.
描述
SILICON IGBT MODULES
零件状态
Active
IGBT类型
-
组态
2 Independent
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
400A
功率 - 最大
1595W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止(最大)
1mA
输入电容(连锁商店)@的Vce
20nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻器
No
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
D-3 Module
供应商设备封装
D3

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