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FQB10N50CFTM-WS

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产品型号
FQB10N50CFTM-WS
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$1.78764
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产品型号
FQB10N50CFTM-WS
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
10A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
610 mOhm @ 5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
60nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2210pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
143W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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