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HGTD3N60C3S9A

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产品型号
HGTD3N60C3S9A
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
HGTD3N60C3S9A.pdf
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产品型号
HGTD3N60C3S9A
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
零件状态
Obsolete
IGBT类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
6A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
24A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2V @ 15V, 3A
功率 - 最大
33W
开关能量
85µJ (on), 245µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
10.8nC
TD(开/关)@ 25℃
-
测试条件
480V, 3A, 82 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装
TO-252AA

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