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DN3765K4-G

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产品型号
DN3765K4-G
制造商
Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$2.27733
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产品型号
DN3765K4-G
制造商
Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
300mA (Tj)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
0V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
8 Ohm @ 150mA, 0V
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
825pF @ 25V
FET特点
Depletion Mode
功率耗散(最大)
2.5W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-252-3
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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