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CSD25303W1015

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产品型号
CSD25303W1015
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
CSD25303W1015.pdf
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产品型号
CSD25303W1015
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.8V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
58 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4.3nC @ 4.5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
435pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.5W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
6-DSBGA (1x1.5)
封装/箱体
6-UFBGA, DSBGA

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