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EPC2106ENGRT

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产品型号
EPC2106ENGRT
制造商
EPC
描述
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
EPC2106ENGRT
制造商
EPC
描述
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.7A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
70 mOhm @ 2A, 5V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 600µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.73nC @ 5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
75pF @ 50V
功率 - 最大
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
供应商设备封装
Die

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