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NVMFS5H663NLT1G

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产品型号
NVMFS5H663NLT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
T8 60V LOW COSS
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.52140
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产品型号
NVMFS5H663NLT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
T8 60V LOW COSS
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
16.2A (Ta), 67A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
7.2 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 56µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
17nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1131pF @ 30V
FET特点
-
功率耗散(最大)
3.7W (Ta), 63W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
封装/箱体
8-PowerTDFN, 5 Leads

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