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APTGT200A120G

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产品型号
APTGT200A120G
制造商
Microsemi
描述
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$121.95000
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$121.95000

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产品型号
APTGT200A120G
制造商
Microsemi
描述
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
组态
Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
280A
功率 - 最大
890W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.1V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止(最大)
350µA
输入电容(连锁商店)@的Vce
14nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻器
No
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP6
供应商设备封装
SP6

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