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APT80M60J

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产品型号
APT80M60J
制造商
Microsemi
描述
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$47.90900
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$47.90900

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产品型号
APT80M60J
制造商
Microsemi
描述
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
84A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
55 mOhm @ 60A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 5mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
600nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
24000pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
960W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商设备封装
ISOTOP®
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC

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