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TPH3206LDB

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产品型号
TPH3206LDB
制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
TPH3206LDB
制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
16A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
180 mOhm @ 10A, 8V
VGS(TH)(最大)标识
2.6V @ 500µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
6.2nC @ 4.5V
VGS(最大)
±18V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
720pF @ 480V
FET特点
-
功率耗散(最大)
81W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PQFN (8x8)
封装/箱体
4-PowerDFN

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