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FQI34P10TU

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产品型号
FQI34P10TU
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
FQI34P10TU
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
33.5A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
60 mOhm @ 16.75A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
110nC @ 10V
VGS(最大)
±25V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2910pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
I2PAK (TO-262)
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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